檢索結果：共8筆資料 檢索策略： " Resistivity".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="周賢鎧"
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本篇論文研究以Al作為上下電極，使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層，製備 電阻式記憶體元件，並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
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本研究以Ti、TiN與ITO作為互補式電阻式記憶體之電極，堆疊三層電極形成ITO/Ti/ITO與ITO/TiN/ITO，並藉由Ti金屬薄膜與ITO薄膜結合時兩者不相同之氧化勢形成氧化界面層TiOx，…
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本論文使用磁控式濺鍍沉積氧化鈰(CeO2)及摻雜釓與銀[(Gd2O3)x-(CeO2)1-x、Ag- CeO2]之氧化鈰固態薄膜電解質在氧化鋁基材上，後藉由熱處理後再濺鍍白金電極製備成電阻式氧氣感測…
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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本研究以Ti及ITO作為電阻式記憶體之電極，並藉由Ti金屬之高氧化勢而自身氧化成TiOx電阻層，因此可在無需額外濺鍍電阻層下製成Ti/ITO與ITO/Ti之電阻式記憶體。 TiN/Ti/TiOx/I…
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本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎，應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …